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| 申请号 | 201010620327.0 |
申请日 | 2010.12.31 |
| 名称 | 一种太阳能电池薄膜的生长方法 |
| 公开(公告)号 | CN102154708A |
公开(公告)日 | 2011.08.17 |
| 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 常州天合光能有限公司 |
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人 | 刘亚锋 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 | 王凌霄 |
| 专利描述 |
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其是一种薄膜的生长方法，主要步骤为对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入氧化炉进行氧化工艺，对氧化膜进行退火处理，然后进行后续太阳能电池工艺。本发明氧化膜生长速度快，质量高，钝化性能优越；硅片在低温下进出炉管，氧化膜应力小，缺陷少；本发明的氧化工艺和退火工艺在同一个设备中进行，产量高。 |
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