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| 申请号 | 201110405313.1 |
申请日 | 2011.12.08 |
| 名称 | 异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺 |
| 公开(公告)号 | CN102437243A |
公开(公告)日 | 2012.05.02 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 常州天合光能有限公司 |
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人 | 王旺平 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 | 王凌霄 |
| 专利描述 |
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种异质浮动结背钝化的HIT太阳能电池结构及其制备工艺，它在N型晶硅衬底的上表面和下表面均沉积P型非晶硅层形成异质P-N结结构，在下表面的异质P-N结结构上制作掩膜，进行选择性刻蚀，形成隔离的异质P-N结构结构，然后去除掩膜层在下表面继续沉积绝缘薄膜层，然后在绝缘薄膜层上制作掩膜，进行第二次选择性刻蚀，使得N型晶硅衬底下表面的异质P-N结结构的侧面和背面均被该绝缘薄膜层包围，形成浮动结背钝化结构，N型非晶硅背电极和P型非晶硅浮动结背钝化结构由绝缘薄膜层实现严格分离。相比三洋的HIT标准工艺和结构，本发明在N型晶硅背面引入了浮动P-N结背钝化结构，因而具有更低的表面复合速率，开路电压也更好。 |
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