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| 申请号 | 201110216657.8 |
申请日 | 2011.07.30 |
| 名称 | 晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构 |
| 公开(公告)号 | CN102376821A |
公开(公告)日 | 2012.03.14 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 常州天合光能有限公司 |
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人 | 王书博;邓伟伟 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 | 王凌霄 |
| 专利描述 |
本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接触图案，之后在电池背面制作铝电极。本发明的有益效果是：本发明背钝化电池太阳能电池具有以下两个特征：1)在电池背点接触及其附近形成高掺杂重扩散区，与之后镀的铝电极可以形成良好的欧姆接触，降低电池的串联电阻；2)经过退火氧化铝可以很好的钝化背表面，降低表面复合速率，之后的氮化硅起到一个保护氧化铝的作用，以避免之后溅射或者蒸发的过程破坏氧化铝的钝化效果。 |
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