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| 申请号 | 201010620111.4 |
申请日 | 2010.12.31 |
| 名称 | 拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极 |
| 公开(公告)号 | CN102130193A |
公开(公告)日 | 2011.07.20 |
| 主分类号 | H01L31/042(2006.01) |
分案原申请号 | |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁证日 | |
优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 常州天合光能有限公司 |
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人 | 陈苏平 |
国际申请 | |
| 国际公布 | |
进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 | 王凌霄 |
| 专利描述 |
本发明涉及硅太阳能电池正电极设计领域，特别是一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极它，包括细栅线和主栅线，电池片正面的多根细栅线为同心圆和同心圆弧形，相邻细栅线之间的距离为2～3mm。本发明所设计的硅太阳能电池栅线传导结构，运用拓扑学规律，改变其分布状况，增加电池片表面的电子的传输速度，增加电子的有效传导。 |
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